¼¼°èÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸ÄÁ¼Ò½Ã¾ö ±â°ü ¡®¼¼¸¶Å×Å©¡¯ 100¸¸´Þ·¯ Ã⿬
°æ±âµµ°¡ 14ÀÏ ³ª³ëºÐ¾ßÀÇ ¿¬±¸°³¹ßÁö¿øÀ» À§ÇØ °æ±âµµ¿Í ±³À°°úÇбâ¼úºÎÀÇ Áö¿øÀ¸·Î ¼³¸³µÈ ³ª³ë¼ÒÀÚƯÈÆÕ¼¾ÅÍ¿Í ¼¼°èÀû ¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸ÄÁ¼Ò½Ã¾ö ±â°üÀÎ ¹Ì±¹ÀÇ SEMATECH(¼¼¸¶Å×Å©) °£ ÈÇÕ¹°¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ±â¼ú°³¹ßÀ» À§ÇÑ ±¹Á¦°øµ¿¿¬±¸»ç¾÷ 3ÀÚ Çù¾àÀ» ü°áÇß´Ù.
Áö³ÇØ »óÈ£Çù·Â¾çÇØ°¢¼(MOU)¿Í °øµ¿±â¼ú°³¹ßÇù¾à(JDA)À» ÅëÇØ ÈÇÕ¹°¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ(III-V MOSFET) °øµ¿±â¼ú°³¹ßÀ» ÁøÇà ÁßÀÎ ¼¼¸¶ÅØ°ú ³ª³ë¼ÒÀÚƯÈÆÕ¼¾ÅÍ´Â ±×µ¿¾È º¸´Ù ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ°í Æø³ÐÀº ±â¼ú°³¹ßÀ» À§ÇØ »óÈ£ Àη±³·ù µîÀ» Æ÷ÇÔÇÑ °øµ¿¿¬±¸ Çù·Âü°è¸¦ °®Ãß±â À§ÇÑ ÇùÀǸ¦ ÁøÇàÇØ ¿Ô´Ù.
ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼´Â ÇöÀç ¸Þ¸ð¸®¿Í ³í¸®¼ÒÀÚ¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Â ½Ç¸®ÄÜ CMOS ¼ÒÀÚ¿¡ ´ëÇÑ ´ëü±â¼ú·Î °í·ÁµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¼¼°èÀûÀÎ ¼±µÎ ±â¾÷¿¡¼ ÁýÁßÀûÀ¸·Î ¿¬±¸°¡ ÁøÇà ÁßÀÎ ÇÙ½É À¯¸Á±â¼ú·Î °¢±¤¹Þ°í ÀÖ´Ù.
À̹ø ±¹Á¦°øµ¿¿¬±¸»ç¾÷À» ÅëÇØ ±âÁ¸ ±â¼úÀÇ ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ ÇÙ½É ±â¼úÀ» È®º¸ÇÒ »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ¿ì¸®³ª¶ó°¡ »ó´ëÀûÀ¸·Î ¶³¾îÁ® ÀÖ´Â ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ßÀÇ ±â¼ú·Â Á¦°í¿¡µµ Å©°Ô ±â¿©ÇÒ °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÈ´Ù.
ÈÇÕ¹°¹ÝµµÃ¼ žçÀüÁöÀÇ °æ¿ì 2015³â¿¡ ½ÃÀå±Ô¸ð°¡ ¾à 4Á¶5000¾ï¿ø¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¸ç, ±¹³» ±â¾÷ü°¡ ¼¼°è½ÃÀåÀÇ 30%¸¦ Á¡À¯ÇÑ´Ù°í °¡Á¤ÇÏ¸é »ý»êÀ¯¹ß È¿°ú 1Á¶4000¾ï¿ø, °í¿ëÀ¯¹ß È¿°ú´Â 2,800¸í¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.
³ª³ë¼ÒÀÚƯÈÆÕ¼¾ÅÍ¿Í ¼¼¸¶Å×Å©´Â ¾ÕÀ¸·Î ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ žçÀüÁö¿Í ¹ß±¤´ÙÀÌ¿Àµå µî ÀÚ¿ø°ú ¿¡³ÊÁö ÀÌ¿ëÈ¿À²À» ³ôÀÌ´Â »õ·Î¿î À¶ÇÕ³ì»ö±â¼ú°³¹ßÀ» À§ÇØ ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ß·Î °øµ¿¿¬±¸¸¦ È®´ëÇØ ³ª°¥ °èȹÀ̸ç, ¼¼¸¶Å×Å©¿Í ³ª³ë¼ÒÀÚƯÈÆÕ¼¾ÅÍ°¡ °¢°¢ 5³â°£ 100¸¸´Þ·¯(USD)¿Í 25¾ï¿øÀ» ÅõÀÔÇÏ°í °æ±âµµ°¡ ³â 4¾ï¿ø¾¿ 5³â°£ 20¾ï¿øÀ», ¼ö¿ø½Ã°¡ 4¾ï¿øÀ» °¢°¢ Ã⿬Ű·Î Çß´Ù.