나노소자특화팹센터(원장 고철기, www.kanc.re.kr)는 경기도의 지원을 통해 기술개발한 화합물반도체인 GaN 기반의 고효율 청색 LED 칩 기술 개발 성과를 도내 중소기업인 한빔(주)에 기술이전 한다고 29일 밝혔다. 

센터는 이번 기술이전으로 정액기술료 1억원과 해당 기술을 적용한 칩 제품 매출액 1%의 경상기술료를 중소기업의 기술상품화 활성화 차원에서 한빔(주)으로부터 받게 된다.

이번에 이전하는 기술은 2~3년내 본격적으로 보급이 예상되고 있는 LED 조명에 필수적인 제조기술로 기술이전 하는 LED칩의 성능은 350mA의 인가전류에서 470mW의 광출력과 3.1V의 동작전압을 보이고 있다. 이는 조명용 LED에 있어 국내의 기술력 대비 2~3년 정도 기술이 앞서 있는 해외 선진사 제품과 비교해도 손색이 없는 수준으로 평가되고 있다.

이러한 칩의 성능은 나노소자특화팹센터에서 특허 출원중인 전류저지층 최적화를 통한 광출력 효율 향상의 고유기술을 기반으로 얻어졌다.

나노소자특화팹센터는 향후 7개월에 걸친 기술이전 과정을 통해 양산성 기술, 수율과 신뢰성을 향상시키고, 한빔(주)는 현재 시장 형성 초기에 있는 조명용 LED칩 시장 진입 일정을 최대한 앞당기기로 했다.

이를 통해 한빔(주)에서는 기술이전된 제조기술을 바탕으로 2012년 약 30억원의 양산 투자를 통해 약 100억원의 매출증가를 기대하고 있으며, 추후 양산 설비가 정상화되는 2013년에는 칩 생산으로 약 300억원의 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다.

나노소자특화팹센터 고철기 원장은 “센터의 설립취지인 화합물반도체 기반의 나노기술 개발 활성화를 통해 기업이 필요로 하는 핵심기술을 조기에 개발 및 이전해 국내 산업발전의 디딤돌이 되겠다”며 “이번 기술이전은 센터에서 개발한 기술의 첫 중소기업 이전사례로 앞으로도 중소기업의 기술혁신 및 제품개발 역량을 글로벌 수준으로 확보할 수 있도록 최대한 지원하겠다”고 밝혔다.

기술을 이전받는 한빔(주)의 오병두 대표는 이번의 나노소자특화팹센터의 우수한 기술 이전을 계기로 “자사의 LED 칩 기술력을 한 단계 끌어 올리는 기회가 되어, 이 분야의 보다 신속한 사업화가 가능할 것으로 기대하고 있다”고 밝혔다.